casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / CE3512K2
Número da peça de fabricante | CE3512K2 |
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Número da peça futura | FT-CE3512K2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CE3512K2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | pHEMT FET |
Freqüência | 12GHz |
Ganho | 13.7dB |
Tensão - Teste | 2V |
Classificação atual | 15mA |
Figura de ruído | 0.5dB |
Atual - teste | 10mA |
Potência | 125mW |
Voltagem - Rated | 4V |
Pacote / caso | 4-Micro-X |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-Micro-X |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE3512K2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CE3512K2-FT |
PTFA181001FV4R250FTMA1
Infineon Technologies
PTFA181001FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA181001HL V1
Infineon Technologies
PTFA181001HL V1 R250
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PTFA190451FV4R250XTMA1
Infineon Technologies
PTFA190451FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA191001F V4
Infineon Technologies
PTFA191001F V4 R250
Infineon Technologies
PTFA192001E1V4R250XTMA1
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PTFA192001F V4 R250
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