casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PBLS2002S,115
Número da peça de fabricante | PBLS2002S,115 |
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Número da peça futura | FT-PBLS2002S,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PBLS2002S,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 20V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA, 100nA |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Potência - Max | 1.5W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBLS2002S,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PBLS2002S,115-FT |
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor
UMA4NT1
ON Semiconductor
UMA4NT1G
ON Semiconductor
UMA6NT1
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU025-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484M
Microsemi Corporation
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H3F35C2N
Intel
A40MX04-2PQG100
Microsemi Corporation