casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PBLS2002S,115
Número da peça de fabricante | PBLS2002S,115 |
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Número da peça futura | FT-PBLS2002S,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PBLS2002S,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 20V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA, 100nA |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Potência - Max | 1.5W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBLS2002S,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PBLS2002S,115-FT |
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor
UMA4NT1
ON Semiconductor
UMA4NT1G
ON Semiconductor
UMA6NT1
ON Semiconductor
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256I
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A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
10M16DCF256I6G
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation