casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PBLS2001S,115
Número da peça de fabricante | PBLS2001S,115 |
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Número da peça futura | FT-PBLS2001S,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PBLS2001S,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 20V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA, 100nA |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Potência - Max | 1.5W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBLS2001S,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PBLS2001S,115-FT |
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor
UMA4NT1
ON Semiconductor
UMA4NT1G
ON Semiconductor
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LIF-MD6000-6KMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M50DCF256I6G
Intel
5SGSMD4K2F40I2L
Intel
5SGXMA5N2F45I3N
Intel
XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel