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ON Semiconductor NVD5863NLT4G

Name: NVD5863NLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5863NLT4G
Availability: InStock
Rating: 5.0 (276 reviews)

Número da peça MFG: NVD5863NLT4G

Quantidade disponível: 78590 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVD5863NLT4G.pdf

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NVD5863NLT4G Especificações

Número da peça de fabricante	NVD5863NLT4G
Número da peça futura	FT-NVD5863NLT4G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NVD5863NLT4G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	14.9A (Ta), 82A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.1 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.1W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5863NLT4G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVD5863NLT4G-FT

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