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ON Semiconductor NDD60N900U1T4G

Name: NDD60N900U1T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD60N900U1T4G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (142 reviews)

Número da peça MFG: NDD60N900U1T4G

Quantidade disponível: 80950 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NDD60N900U1T4G.pdf

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NDD60N900U1T4G Especificações

Número da peça de fabricante	NDD60N900U1T4G
Número da peça futura	FT-NDD60N900U1T4G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NDD60N900U1T4G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	74W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD60N900U1T4G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NDD60N900U1T4G-FT

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