casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS4H01NFT1G
Número da peça de fabricante | NTMFS4H01NFT1G |
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Número da peça futura | FT-NTMFS4H01NFT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTMFS4H01NFT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 54A (Ta), 334A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5538pF @ 12V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.2W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4H01NFT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTMFS4H01NFT1G-FT |
NVMFS4C302NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5113PLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5113PLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NLWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFAFT1G
ON Semiconductor
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel