casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS5113PLWFT1G
Número da peça de fabricante | NVMFS5113PLWFT1G |
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Número da peça futura | FT-NVMFS5113PLWFT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5113PLWFT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 64A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5113PLWFT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NVMFS5113PLWFT1G-FT |
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