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ON Semiconductor NTMFS4H013NFT1G

Número da peça MFG
NTMFS4H013NFT1G
Quantidade disponível
25260 Peças
Preço de referência
USD 1.0208
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
- MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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NTMFS4H013NFT1G Especificações

Número da peça de fabricante NTMFS4H013NFT1G
Número da peça futura FT-NTMFS4H013NFT1G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
NTMFS4H013NFT1G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 43A (Ta), 269A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3923pF @ 12V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso 8-PowerTDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4H013NFT1G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição NTMFS4H013NFT1G-FT

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