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ON Semiconductor NTMFS4H013NFT1G

Name: NTMFS4H013NFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4H013NFT1G
Price: 1.0208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (608 reviews)

Número da peça MFG: NTMFS4H013NFT1G

Quantidade disponível: 25260 Peças

Preço de referência: USD 1.0208

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NTMFS4H013NFT1G.pdf

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NTMFS4H013NFT1G Especificações

Número da peça de fabricante	NTMFS4H013NFT1G
Número da peça futura	FT-NTMFS4H013NFT1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NTMFS4H013NFT1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	43A (Ta), 269A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3923pF @ 12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.7W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4H013NFT1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NTMFS4H013NFT1G-FT

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