casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS4833NST3G
Número da peça de fabricante | NTMFS4833NST3G |
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Número da peça futura | FT-NTMFS4833NST3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SENSEFET® |
NTMFS4833NST3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 156A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 11.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5250pF @ 12V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 900mW (Ta), 86.2W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SO-8FL |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4833NST3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTMFS4833NST3G-FT |
MKE38RK600DFELB
IXYS
MKE38RK600DFELB-TRR
IXYS
MMIX1F210N30P3
IXYS
MT8386M5
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MVB50P03HDLT4G
ON Semiconductor
N0100P-T1-AT
Renesas Electronics America
N0300N-T1B-AT
Renesas Electronics America
N0300P-T1B-AT
Renesas Electronics America
N0301P-T1-AT
Renesas Electronics America
N0302P-T1-AT
Renesas Electronics America
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel