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ON Semiconductor NTGD4169FT1G

Número da peça MFG
NTGD4169FT1G
Quantidade disponível
39720 Peças
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
- MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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NTGD4169FT1G Especificações

Número da peça de fabricante NTGD4169FT1G
Número da peça futura FT-NTGD4169FT1G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
NTGD4169FT1G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Recurso FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) 900mW (Ta)
Temperatura de operação -25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 6-TSOP
Pacote / caso SOT-23-6
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTGD4169FT1G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição NTGD4169FT1G-FT

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