casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTD4959N-1G
Número da peça de fabricante | NTD4959N-1G |
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Número da peça futura | FT-NTD4959N-1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTD4959N-1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 11.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1456pF @ 12V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I-PAK |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD4959N-1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTD4959N-1G-FT |
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