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ON Semiconductor NTD4979N-35G

Name: NTD4979N-35G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTD4979N-35G
Price: 0.20944 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (585 reviews)

Número da peça MFG: NTD4979N-35G

Quantidade disponível: 60520 Peças

Preço de referência: USD 0.20944

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NTD4979N-35G.pdf

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NTD4979N-35G Especificações

Número da peça de fabricante	NTD4979N-35G
Número da peça futura	FT-NTD4979N-35G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NTD4979N-35G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Ta), 41A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	837pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I-PAK
Pacote / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD4979N-35G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NTD4979N-35G-FT

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