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ON Semiconductor NTLJD3182FZTBG

Name: NTLJD3182FZTBG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJD3182FZTBG
Availability: InStock
Rating: 4.6 (783 reviews)

Número da peça MFG: NTLJD3182FZTBG

Quantidade disponível: 25850 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NTLJD3182FZTBG.pdf

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NTLJD3182FZTBG Especificações

Número da peça de fabricante	NTLJD3182FZTBG
Número da peça futura	FT-NTLJD3182FZTBG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NTLJD3182FZTBG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 10V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	710mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-WDFN (2x2)
Pacote / caso	6-WDFN Exposed Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJD3182FZTBG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NTLJD3182FZTBG-FT

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