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ON Semiconductor NTLJS1102PTAG

Número da peça MFG
NTLJS1102PTAG
Quantidade disponível
89750 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
- MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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NTLJS1102PTAG Especificações

Número da peça de fabricante NTLJS1102PTAG
Número da peça futura FT-NTLJS1102PTAG
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
NTLJS1102PTAG Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 720mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 4V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 700mW (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 6-WDFN (2x2)
Pacote / caso 6-WDFN Exposed Pad
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJS1102PTAG Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição NTLJS1102PTAG-FT

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