casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTLJS1102PTAG
Número da peça de fabricante | NTLJS1102PTAG |
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Número da peça futura | FT-NTLJS1102PTAG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTLJS1102PTAG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 8V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 4V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-WDFN (2x2) |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTLJS1102PTAG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTLJS1102PTAG-FT |
NTHS5445T1
ON Semiconductor
TPCF8107,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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A40MX04-1PL68
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