casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSVMMBT6517LT1G
Número da peça de fabricante | NSVMMBT6517LT1G |
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Número da peça futura | FT-NSVMMBT6517LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMMBT6517LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 350V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 225mW |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBT6517LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMMBT6517LT1G-FT |
2SA1179N6-CPA-TB-E
ON Semiconductor
2SA1179N6-TB-E
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2SC2812N6-CPA-TB-E
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