casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NSVF6003SB6T1G
Número da peça de fabricante | NSVF6003SB6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVF6003SB6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
NSVF6003SB6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 3dB @ 1GHz |
Ganho | 9dB |
Potência - Max | 800mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-CPH |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVF6003SB6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVF6003SB6T1G-FT |
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S500E-4VQG100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-4FGG484C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C8N
Intel
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel