casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSVBCP56-10T3G
Número da peça de fabricante | NSVBCP56-10T3G |
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Número da peça futura | FT-NSVBCP56-10T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVBCP56-10T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Potência - Max | 1.5W |
Freqüência - Transição | 130MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223 (TO-261) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBCP56-10T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVBCP56-10T3G-FT |
MJD31CRL
ON Semiconductor
MJD32CRL
ON Semiconductor
MJD340
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MJD350G
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MJD41CT4
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MJD44H11T5
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MJD47
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M1A3P1000-2FGG484
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A3P1000-FG256
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LFE5UM-85F-7BG554I
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5SGSED8K3F40C2LN
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EP3SE80F1152I3
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Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel