casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD350G
Número da peça de fabricante | MJD350G |
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Número da peça futura | FT-MJD350G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD350G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 300V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 1.56W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD350G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD350G-FT |
NJVMJD112T4G
ON Semiconductor
MJD42CT4G
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MJD3055T4G
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MJD32CT4G
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MJD127T4G
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MJD50T4G
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NJD2873T4G
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MJD122T4G
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MJD148T4G
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LFXP2-5E-6TN144I
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XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
Intel
EPF10K50VBI356-4
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EP20K160EQC240-3N
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EPF10K30EQC208-2N
Intel