casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD4DXV6T5G
Número da peça de fabricante | EMD4DXV6T5G |
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Número da peça futura | FT-EMD4DXV6T5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD4DXV6T5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD4DXV6T5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD4DXV6T5G-FT |
XP0111200L
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XP0111F00L
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XC6SLX75-2FGG484C
Xilinx Inc.
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EPF6016ATC100-2N
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LFXP20E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2U19A7N
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10AX115N1F40E1SG
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10CL120ZF780I8G
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