casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSV40200UW6T1G
Número da peça de fabricante | NSV40200UW6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSV40200UW6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSV40200UW6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 875mW |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-WDFN (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV40200UW6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSV40200UW6T1G-FT |
NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVNJD2873T4G-VF01
ON Semiconductor
MJD44H11G
ON Semiconductor
NJVMJD112G
ON Semiconductor
NJVMJD31CG
ON Semiconductor
MJD127G
ON Semiconductor
MJD112G
ON Semiconductor
NSV1C300ET4G-VF01
ON Semiconductor
NJVNJD35N04T4G
ON Semiconductor
MJD117T4G
ON Semiconductor
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation