casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD112G
Número da peça de fabricante | MJD112G |
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Número da peça futura | FT-MJD112G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD112G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 20µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potência - Max | 1.75W |
Freqüência - Transição | 25MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD112G-FT |
S2SC4617G
ON Semiconductor
MMBT3906TT1G
ON Semiconductor
MMBT3904TT1G
ON Semiconductor
NSVBC857BTT1G
ON Semiconductor
MMBT2222ATT3G
ON Semiconductor
BC847BTT1G
ON Semiconductor
BC857BTT1G
ON Semiconductor
MMBT2222ATT1G
ON Semiconductor
NSVMMBT2222ATT1G
ON Semiconductor
NSVMMBT3906TT1G
ON Semiconductor
EP2C8T144I8
Intel
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FG400I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
EPF6016QC208-3
Intel