casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSS60600MZ4T1G
Número da peça de fabricante | NSS60600MZ4T1G |
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Número da peça futura | FT-NSS60600MZ4T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS60600MZ4T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 800mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS60600MZ4T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS60600MZ4T1G-FT |
MJB5742T4G
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BUB323ZG
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NJVBUB323ZT4G
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APA300-FG256M
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A42MX16-1PQG208
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5SGXEA5K2F35I2LN
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AGLP060V2-CS289I
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LFE2-6SE-5FN256I
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EP1S40F780C8
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