casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BUB323ZT4G
Número da peça de fabricante | BUB323ZT4G |
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Número da peça futura | FT-BUB323ZT4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BUB323ZT4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 10A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 350V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 250mA, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 5A, 4.6V |
Potência - Max | 150W |
Freqüência - Transição | 2MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUB323ZT4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUB323ZT4G-FT |
MJD32RLG
ON Semiconductor
MJD128T4G
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MJD44H11T5G
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MJD47T4G
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NJVNJD1718T4G
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MJD31CG
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A54SX16A-2FG256I
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EP2C50F672C7N
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XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
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EP1C4F400I7N
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