casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / NSS40300DDR2G
Número da peça de fabricante | NSS40300DDR2G |
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Número da peça futura | FT-NSS40300DDR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS40300DDR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 653mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40300DDR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS40300DDR2G-FT |
NST3946DXV6T5G
ON Semiconductor
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