casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / NSVEMT1DXV6T1G
Número da peça de fabricante | NSVEMT1DXV6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVEMT1DXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVEMT1DXV6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500pA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 500mW |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVEMT1DXV6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVEMT1DXV6T1G-FT |
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