casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NJVMJD210T4G
Número da peça de fabricante | NJVMJD210T4G |
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Número da peça futura | FT-NJVMJD210T4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NJVMJD210T4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Potência - Max | 1.4W |
Freqüência - Transição | 65MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD210T4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NJVMJD210T4G-FT |
MMBT3904TT1
ON Semiconductor
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Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
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LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation