casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSS1C200MZ4T1G
Número da peça de fabricante | NSS1C200MZ4T1G |
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Número da peça futura | FT-NSS1C200MZ4T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS1C200MZ4T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 800mW |
Freqüência - Transição | 120MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS1C200MZ4T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS1C200MZ4T1G-FT |
CPH6122-TL-E
ON Semiconductor
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A40MX04-VQG80M
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A54SX32-1TQG144I
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XC7A35T-1FT256I
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LCMXO3LF-4300C-6BG400C
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LFEC3E-3FN256C
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EP20K200QI240-3
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EPF10K10QC208-4
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