casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SB817C-1E
Número da peça de fabricante | 2SB817C-1E |
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Número da peça futura | FT-2SB817C-1E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SB817C-1E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 12A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 140V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
Potência - Max | 120W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P-3L |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB817C-1E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SB817C-1E-FT |
MJD44E3T4G
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NJVMJD122T4G-VF01
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NJVMJD32T4G
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XC6SLX75-N3CSG484I
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XC3S1600E-4FG400I
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LIF-MD6000-6UWG36ITR50
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5SGSMD8N2F45C2LN
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XC2VP50-6FF1152I
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XC2V2000-5FFG896I
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LFXP3E-5Q208C
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EP2S130F1020C4N
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