casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SB817C-1E
Número da peça de fabricante | 2SB817C-1E |
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Número da peça futura | FT-2SB817C-1E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SB817C-1E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 12A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 140V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
Potência - Max | 120W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P-3L |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB817C-1E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SB817C-1E-FT |
MJD44E3T4G
ON Semiconductor
NJVMJD122T4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD44H11RLG-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD45H11RLG-VF01
ON Semiconductor
NSV1C301ET4G-VF01
ON Semiconductor
MJD200T4G
ON Semiconductor
MJD32CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD127T4G
ON Semiconductor
NJVMJD128T4G
ON Semiconductor
NJVMJD32T4G
ON Semiconductor
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel