casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6798
Número da peça de fabricante | JANTXV2N6798 |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N6798 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/557 |
JANTXV2N6798 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 42.07nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-205AF (TO-39) |
Pacote / caso | TO-205AF Metal Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6798 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N6798-FT |
JAN2N6784
Microsemi Corporation
JAN2N6784U
Microsemi Corporation
JAN2N6788
Microsemi Corporation
JAN2N6788U
Microsemi Corporation
JAN2N6790
Microsemi Corporation
JAN2N6790U
Microsemi Corporation
JAN2N6796
Microsemi Corporation
JAN2N6796U
Microsemi Corporation
JAN2N6798
Microsemi Corporation
JAN2N6798U
Microsemi Corporation
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel