casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP180N055TUJ-E1-AY
Número da peça de fabricante | NP180N055TUJ-E1-AY |
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Número da peça futura | FT-NP180N055TUJ-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NP180N055TUJ-E1-AY Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14250pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263-7 |
Pacote / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP180N055TUJ-E1-AY Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NP180N055TUJ-E1-AY-FT |
BSS138W L6433
Infineon Technologies
BSS138WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS209PW
Infineon Technologies
BSS209PW L6327
Infineon Technologies
BSS214NW L6327
Infineon Technologies
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS223PW L6327
Infineon Technologies
BSS223PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS816NW L6327
Infineon Technologies
BSS84PW
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel