casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS209PW L6327
Número da peça de fabricante | BSS209PW L6327 |
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Número da peça futura | FT-BSS209PW L6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSS209PW L6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 580mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 580mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.38nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 89.9pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT323-3 |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS209PW L6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS209PW L6327-FT |
PMN120ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN16XNEX
Nexperia USA Inc.
BSH207,135
Nexperia USA Inc.
BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL202SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL207SP
Infineon Technologies
BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL207SPL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL211SP
Infineon Technologies
BSL211SPL6327HTSA1
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel