casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSB226M008R1800V
Número da peça de fabricante | NOSB226M008R1800V |
---|---|
Número da peça futura | FT-NOSB226M008R1800V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSB226M008R1800V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 22µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 8V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 1.8 Ohms |
Corrente - Vazamento | 2.4µA |
Fator de dissipação | 10% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1411 (3528 Metric), 1210 |
Código do tamanho do fabricante | B |
Altura - Sentado (Max) | 0.083" (2.10mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 (3528 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSB226M008R1800V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSB226M008R1800V-FT |
NOSD227M006R0100
AVX Corporation
NOSD337M004R0100
AVX Corporation
NOJE337M006RWJ
AVX Corporation
NOSE337M006R0080
AVX Corporation
NOSD227M004R0060
AVX Corporation
NOJE687M002RWJ
AVX Corporation
NOME227M006R0040
AVX Corporation
NOME227M006S0040
AVX Corporation
NOME337M004R0035
AVX Corporation
NOME337M006R0023
AVX Corporation
A1010B-1PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
EP4CGX75CF23C6
Intel
EP3C16U484C6
Intel
XCV50-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel