casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSD227M006R0100
Número da peça de fabricante | NOSD227M006R0100 |
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Número da peça futura | FT-NOSD227M006R0100 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSD227M006R0100 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 220µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 100 mOhms |
Corrente - Vazamento | 26.4µA |
Fator de dissipação | 8% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2917 (7343 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | D |
Altura - Sentado (Max) | 0.122" (3.10mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2917 (7343 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD227M006R0100 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSD227M006R0100-FT |
NOJP106M002RWJ
AVX Corporation
NOJP106M004RWJ
AVX Corporation
NOJP106M006RWJ
AVX Corporation
NOJP156M001RWJ
AVX Corporation
NOJP156M002RWJ
AVX Corporation
NOJP156M004RWJ
AVX Corporation
NOJP225M010RWJ
AVX Corporation
NOJP226M001RWJ
AVX Corporation
NOJP226M002RWJ
AVX Corporation
NOJP335M010RWJ
AVX Corporation
A1010B-1PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
EP4CGX75CF23C6
Intel
EP3C16U484C6
Intel
XCV50-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel