casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSB226M006R0600
Número da peça de fabricante | NOSB226M006R0600 |
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Número da peça futura | FT-NOSB226M006R0600 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSB226M006R0600 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 22µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 600 mOhms |
Corrente - Vazamento | 2.6µA |
Fator de dissipação | 6% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1411 (3528 Metric), 1210 |
Código do tamanho do fabricante | B |
Altura - Sentado (Max) | 0.083" (2.10mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 (3528 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSB226M006R0600 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSB226M006R0600-FT |
NOJD107M006RWJ
AVX Corporation
NOJY227M006RWJ
AVX Corporation
NOJD157M006RWJ
AVX Corporation
NOSD157M006R0070
AVX Corporation
NOSD227M006R0100
AVX Corporation
NOSD337M004R0100
AVX Corporation
NOJE337M006RWJ
AVX Corporation
NOSE337M006R0080
AVX Corporation
NOSD227M004R0060
AVX Corporation
NOJE687M002RWJ
AVX Corporation
LCMXO2-2000ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
XA6SLX75T-2FGG484Q
Xilinx Inc.
5CEBA7F27C7N
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SGXMA3E2H29C2LN
Intel
A42MX16-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation