casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / NGTB50N120FL2WG
Número da peça de fabricante | NGTB50N120FL2WG |
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Número da peça futura | FT-NGTB50N120FL2WG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NGTB50N120FL2WG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Potência - Max | 535W |
Energia de comutação | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 311nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 118ns/282ns |
Condição de teste | 600V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 256ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB50N120FL2WG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NGTB50N120FL2WG-FT |
RGPR10BM40FHTL
Rohm Semiconductor
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XC3S100E-5TQG144C
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A42MX09-PQ100A
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EPF6016AQC208-3N
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