casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / RGT00TS65DGC11
Número da peça de fabricante | RGT00TS65DGC11 |
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Número da peça futura | FT-RGT00TS65DGC11 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RGT00TS65DGC11 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 85A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 150A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Potência - Max | 277W |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 94nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 42ns/137ns |
Condição de teste | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 54ns |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247N |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGT00TS65DGC11 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RGT00TS65DGC11-FT |
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