casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NESG2030M04-A
Número da peça de fabricante | NESG2030M04-A |
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Número da peça futura | FT-NESG2030M04-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NESG2030M04-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 2.3V |
Freqüência - Transição | 60GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz |
Ganho | 16dB |
Potência - Max | 80mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 5mA, 2V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 35mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-343F |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | M04 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NESG2030M04-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NESG2030M04-A-FT |
2SC393400L
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2SC3934G0L
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Lattice Semiconductor Corporation
XC4052XL-2HQ304I
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Xilinx Inc.
A3P400-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
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5SGSMD5H2F35I3LN
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EP4SGX530HH35C2ES
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Xilinx Inc.
EP1S30F780C7
Intel