casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE851M13-T3-A
Número da peça de fabricante | NE851M13-T3-A |
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Número da peça futura | FT-NE851M13-T3-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE851M13-T3-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 5.5V |
Freqüência - Transição | 4.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Ganho | 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ |
Potência - Max | 140mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | M13 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE851M13-T3-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE851M13-T3-A-FT |
BFR 360T E6327
Infineon Technologies
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
Diodes Incorporated
MMBTH24-7
Diodes Incorporated
BFU550R
NXP USA Inc.
BFP183E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP193E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFU520R
NXP USA Inc.
BFU520XAR
NXP USA Inc.
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGSMD8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I2
Intel
5SGXEA4H2F35C2LN
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35I3G
Intel
5SGXEA3H2F35C2L
Intel