casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE66219-A
Número da peça de fabricante | NE66219-A |
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Número da peça futura | FT-NE66219-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE66219-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 3.3V |
Freqüência - Transição | 21GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 2GHz |
Ganho | 14dB |
Potência - Max | 115mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 2V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 35mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-523 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE66219-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE66219-A-FT |
LZ1418E100R,114
Ampleon USA Inc.
MZ0912B100Y,114
Ampleon USA Inc.
MZ0912B50Y,114
Ampleon USA Inc.
PZ1418B30U,114
Ampleon USA Inc.
MX0912B251Y,114
Ampleon USA Inc.
MX0912B351Y,114
Ampleon USA Inc.
RX1214B300Y,114
Ampleon USA Inc.
BLS2731-110,114
Ampleon USA Inc.
BLS2731-50,114
Ampleon USA Inc.
BLS3135-20,114
NXP USA Inc.
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel