casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE58219-T1-A
Número da peça de fabricante | NE58219-T1-A |
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Número da peça futura | FT-NE58219-T1-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE58219-T1-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 100mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60mA |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-SuperMiniMold (19) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE58219-T1-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE58219-T1-A-FT |
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
Diodes Incorporated
MMBTH24-7
Diodes Incorporated
BFU550R
NXP USA Inc.
BFP183E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP193E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFU520R
NXP USA Inc.
BFU520XAR
NXP USA Inc.
BFU530R
NXP USA Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel