casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NDS355AN_G
Número da peça de fabricante | NDS355AN_G |
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Número da peça futura | FT-NDS355AN_G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NDS355AN_G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 195pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SuperSOT-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS355AN_G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NDS355AN_G-FT |
2N7002_L99Z
ON Semiconductor
2N7002_NB9G002
ON Semiconductor
2N7002_S00Z
ON Semiconductor
2SK122800L
Panasonic Electronic Components
5X49_BG7002B
ON Semiconductor
BSS119 E6433
Infineon Technologies
BSS119 E7796
Infineon Technologies
BSS119 E7978
Infineon Technologies
BSS119E6327
Infineon Technologies
BSS119L6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel