casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS119E6327
Número da peça de fabricante | BSS119E6327 |
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Número da peça futura | FT-BSS119E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSS119E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS119E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS119E6327-FT |
NDS355N
ON Semiconductor
SI2343DS-T1-GE3
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SQ2337ES-T1_GE3
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SSM3K15F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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