casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Número da peça de fabricante | MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 256Gb (32G x 8) |
Freqüência do relógio | 83MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP I |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR-FT |
M29W640GH70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GL70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB45N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N1
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB90N1
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel