casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MWI150-12T8T
Número da peça de fabricante | MWI150-12T8T |
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Número da peça futura | FT-MWI150-12T8T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MWI150-12T8T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 215A |
Potência - Max | 690W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 6mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 10.77nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI150-12T8T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MWI150-12T8T-FT |
APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel