casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / MUN5212T1G

| Número da peça de fabricante | MUN5212T1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MUN5212T1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MUN5212T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 202mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-3 (SOT323) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MUN5212T1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MUN5212T1G-FT |

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Xilinx Inc.

LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC3B6U19I7N
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