casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / MUN2213JT1G
Número da peça de fabricante | MUN2213JT1G |
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Número da peça futura | FT-MUN2213JT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN2213JT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 338mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-59 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2213JT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN2213JT1G-FT |
MMUN2214LT1G
ON Semiconductor
MMUN2114LT3G
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MMUN2217LT1G
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NSVMMUN2235LT1G
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MMUN2133LT1G
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XC2S50-5TQ144C
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XC6SLX100-2CSG484C
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Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
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5SGXMABN3F45C3N
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XC7VX550T-2FFG1927I
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XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
AGL250V2-CS196
Microsemi Corporation
EP20K400ERI240-3
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EP20K160EQC208-2N
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