casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT58K256M321JA-100:A
Número da peça de fabricante | MT58K256M321JA-100:A |
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Número da peça futura | FT-MT58K256M321JA-100:A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT58K256M321JA-100:A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SGRAM - GDDR5 |
Tamanho da memória | 8Gb (256M x 32) |
Freqüência do relógio | 5GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.31V ~ 1.39V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 190-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 190-FBGA (10x14) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT58K256M321JA-100:A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT58K256M321JA-100:A-FT |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel