casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
Número da peça de fabricante | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D |
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Número da peça futura | FT-MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
Freqüência do relógio | 2133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D-FT |
MT53D4DAKA-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DAKA-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DANW-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DANY-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DANY-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DARN-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DARN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DASB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DASB-DC TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel