casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D1024M64D8PM-053 WT:D

| Número da peça de fabricante | MT53D1024M64D8PM-053 WT:D |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MT53D1024M64D8PM-053 WT:D |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MT53D1024M64D8PM-053 WT:D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de memória | Volatile |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Tamanho da memória | 64Gb (1G x 64) |
| Freqüência do relógio | 1866MHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | - |
| Tensão - fonte | 1.1V |
| Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / caso | - |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53D1024M64D8PM-053 WT:D Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MT53D1024M64D8PM-053 WT:D-FT |

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NK-053 WT:C
Micron Technology Inc.

LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE50F484C2
Intel

EP4CE115F23I8L
Intel

XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.

LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE110F780C2N
Intel

EP20K100BC356-2N
Intel

EP4SGX360FF35C4
Intel