casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
Número da peça de fabricante | MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C |
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Número da peça futura | FT-MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C-FT |
MT53B2G32D8QD-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0APWC1
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0AQWC1
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel